Grazie alla tecnologia di taglio non distruttivo, il wafer viene tagliato in due o più pezzi in modo uniforme per ottenere una temperatura nominale di funzionamento più bassa (NOCT), ridurre la perdita di ombreggiatura e migliorare l'efficienza di conversione.

Una tecnologia di moduli che genera elettricità sia dal lato anteriore che da quello posteriore. Quando la luce del sole illumina il modulo bifacciale, una parte della luce viene riflessa dall'ambiente circostante sul lato posteriore del modulo e questa parte della luce può essere assorbita dalla cella per generare elettricità.

L'Interdigitated Back Contact (IBC) è una tecnologia che utilizza wafer di silicio di tipo N ricoperti da una pellicola di ossido termico sulle superfici anteriore e posteriore per convertire l'energia in contatto posteriore. La cella non presenta ombreggiature sul lato anteriore e può quindi assorbire la massima quantità di luce solare.

Cella a contatto passivato con ossido di tunnel, la cui struttura cellulare è in grado di realizzare il trasporto longitudinale unidimensionale dei portatori, riducendo al contempo la composizione dei metalli e dei substrati di silicio, con conseguente maggiore generazione di energia integrata.

Batteria a etero-giunzione con strato sottile intrinseco, la cui giunzione P-N è composta da due diversi materiali semiconduttori. Presenta i vantaggi di generare elettricità sia dal lato anteriore che da quello posteriore, di un processo di produzione a bassa temperatura, di un'elevata tensione a circuito aperto e di buone caratteristiche di temperatura.

La tecnologia Shingled taglia generalmente i wafer di silicio in più di 5 pezzi e utilizza un adesivo conduttivo flessibile per l'incollaggio a bassa temperatura, in modo da ottenere una connessione senza soluzione di continuità tra le celle, aumentando in modo sostanziale la potenza di uscita del modulo.