Utilizzando la tecnologia di taglio non distruttiva, il wafer di silicio viene tagliato in media in due o più pezzi, in modo da avere una temperatura operativa nominale inferiore (NOCT), ridurre la perdita di occlusione dell'ombra e migliorare l'efficienza di conversione.

Tecnologia modulare che genera elettricità su entrambi i lati.Quando la luce solare colpisce un modulo bifacciale, parte della luce viene riflessa dall'ambiente circostante sul retro del modulo e questa parte della luce può essere assorbita dalla batteria per generare elettricità.

Il nome completo è Interdigitated Back Contact battery, la tecnologia utilizza wafer di silicio di tipo N, le superfici anteriore e posteriore sono ricoperte da un film di ossido termico, con conversione dell'energia di back contact.La batteria non ha schermatura sulla parte anteriore e assorbe al massimo la luce solare.

Nome completo Tunnel Oxide Passivated Contact batteria, la sua struttura della batteria può realizzare il trasporto longitudinale unidimensionale dei vettori, riducendo la ricombinazione di substrato di metallo e silicio, e l'energia di generazione di energia completa è più forte.

Nome completo Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer battery, la sua giunzione P-N è composta da due diversi materiali semiconduttori.Ha i vantaggi della generazione di energia su entrambi i lati, processo di produzione a bassa temperatura, alta tensione a circuito aperto e buone caratteristiche di temperatura.

La tecnologia Shingled generalmente taglia i wafer di silicio in più di 5 pezzi e utilizza adesivo conduttivo flessibile per legarsi a basse temperature per ottenere una connessione senza soluzione di continuità tra le celle e migliorare notevolmente la potenza di uscita dei componenti.